Ze dvou spekulovaných variant se očekává, že Qualcomm přinese LPDDR6 RAM a plnohodnotný GPU pouze pro Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro. Nově uniklé blokové schéma nyní naznačuje, že čip Pro může mít také další exkluzivní funkci: design HPB.
Podle úniku informací z Číny se očekává (via Gizmochina), že Qualcomm přijme technologii Heat Pass Block (HPB), stejnou metodu chlazení, jaká se používá v čipu Samsung Exynos 2600. Namísto tradičních uspořádání umisťuje HPB speciální vrstvu pro rozptyl tepla přímo na horní část čipsetu. Cílem je rychleji odvádět teplo ze silikonu, než se stane překážkou výkonu.
Nedávné čipy společnosti Qualcomm se zaměřily na extrémně vysoké špičkové frekvence. Přičemž podle pověstí může Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro dosáhnout dokonce 6 GHz. Udržet tyto rychlosti bylo v minulosti náročné, což často vedlo k tomu, že čip musel při zvýšení teploty snížit výkon. Technologie HPB přišla navržena tak, aby tento problém omezila tím, že procesoru poskytne větší tepelný prostor.
Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro má používat paměť Package-on-Package
Únik schématu odhaluje i další technické detaily. Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro zřejmě používá design Package-on-Package (PoP). Tam máme paměť umístěnu těsně vedle procesoru, aby se ušetřilo místo.
Čip podporuje RAM LPDDR6 i LPDDR5X spolu s úložištěm UFS 5.0 pomocí dvou linek s vysokou šířkou pásma.
Kromě čistého výkonu se čip může zaměřit také na funkce zvyšující produktivitu. Únik naznačuje podporu více displejů, což může umožnit zážitky podobné stolním počítačům, když jsou telefony připojeny k externím monitorům.
Pokud je to pravda, únik naznačuje, že Qualcomm vážně přehodnocuje způsob, jakým řeší zahřívání svých nejvýkonnějších čipů. Přijetí HPB tak může pomoci Snapdragonu 8 Elite Gen 6 Pro udržet vysoký výkon po delší dobu, místo toho, aby krátkodobě dosahoval působivých čísel a poté zpomalil.
Stále však není jasné, zda bude toto řešení chlazení exkluzivní pro variantu „Pro“. Zatím není potvrzeno, že standardní SD 8 Elite Gen 6 dostane stejné řešení.
